분 야

소관부서

산학협력단

등록일

2004-07-06

제 목

이중 산화 절연층 제조 방법

주요내용

권리 유형

① 특허

발명 목적

본 발명은 이중 산화 절연층 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전도체/이중연속절연막/전도체 구조의 터널링 자기 저항 소자 등의 제조에 사용되는 이중 산화 절연층 제조 방법에 관한 것이다.

발명 구성

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 소자의 절연막을 형성하는 방법에 있어, (a) 산화되어 절연성을 가지는 물질을 증착하여 제 1물질층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1물질층을 산화시켜서 제 1절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 제 1절연층 위에 상기 물질과 동일한 물질을 증착하여 제 2물질층을 형성하는 단계로 구성

기대 효과

상기한 바와 같이 본 발명은 기존 절연막보다 균일한 AlO 절연막을 형성할 수 있다