특허공고문

○ 발명의 명칭 : 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터

○ 권리유형 : 특허

○ 등록번호 : 10-1703657

○ 등록일 : 2017.02.01

○ 요약

- 본 발명은 추가적인 전계를 이용하여 터널 전계 효과 트랜지스터의 구동 전류를 증가시킬 수 있고 서브-스레숄드 슬로프를 개선할 수 있는 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다.

제1 게이트 전극; 상기 제1 게이트의 일측에 구비되는 제2 게이트 전극; 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극의 사이에 구비되는 채널 영역; 상기 채널 영역의 하부 및 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극의 사이에 구비되며, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 하부까지 연장되는 소스 영역; 상기 채널 영역의 상부에 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 상면보다 높은 위치에 구비되는 드레인 영역; 상기 드레인 영역을 제외한 부분인, 상기 채널 영역의 노출된 부분과, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 전면 및 후면과, 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극 사이에 구비된 상기 소스 영역의 노출된 부분을 도포하는 전계 강화막; 및 상기 채널 영역과 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 경계면 및 상기 소스 영역과 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극의 경계면에 구비되는 게이트 절연막;을 포함하는 전계 강화 터널 전계 효과 트랜지스터가 제공된다.