○ 발명의 명칭 : 저저항, 고열전도도 베타상 탄화규소 소재 제조용 조성물, 탄화규소 소재 및 소재의 제조방법

○ 권리유형 : 특허

○ 등록번호 : 10-1308907

○ 등록일 : 2013년09월10일

○ 요약

- 본 발명은 저저항, 고열전도도 베타상 탄화규소 소재 제조용 조성물, 탄화규소 소재 및 소재의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 베타상 탄화규소와; 스칸듐나이트레이트(scandium nitrate), 이트륨나이트레이트(yttrium nitrate), 란타늄나이트레이트(lanthanum nitrate), 프라세오디뮴나이트레이트(praseodymium nitrate), 네오디뮴나이트레이트(neodymium nitrate), 사마륨나이트레이트(samarium nitrate), 가돌리늄나이트레이트(gadolinium nitrate), 디스프로슘나이트레이트(dysprosium nitrate), 홀뮴나이트레이트(holmium nitrate), 루테튬나이트레이트(lutetium nitrate) 및 그 하이드레이트 중에서 선택되는 서로 다른 양이온으로 구성된 적어도 두가지 구성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 저저항, 고열전도도를 갖는 탄화규소 소재 제조용 조성물을 제공한다.

이와 같은 본 발명의 탄화규소 소재는 높은 열전도도와 고온 안정성을 가지므로 복잡형상 고온구조재료, 반도체 공정장비용 부품, 진공장비용 부품, 내플라즈마용 부품, 반도체 공정용 더미 웨이퍼, 반도체 공정용 히터 소재, 반도체 공정용 히터 플레이트 소재, 플라즈마 식각 챔버 내 부품 등으로 응용될 수 있으며, 전기 전도성을 요구하는 부품인 플라즈마 스크린(plasma screen), 초점링(focus ring), 엣지링(edge ring), 방전가공용 전극소재 등으로도 응용 가능하고, 전기 비저항(resistivity)이 매우 낮으므로 고속 방전 가공에 의해 복잡형상 구조재료의 제조에도 응용이 가능하다.